Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Manufacturer from China
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Les transistors de puissance de l'astuce 3DD13005 commutent le rendement élevé de la tension de base d'émetteur 9V

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Les transistors de puissance de l'astuce 3DD13005 commutent le rendement élevé de la tension de base d'émetteur 9V

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Point d'origine :Shenzhen Chine
Quantité d'ordre minimum :PCS 1000-2000
Détails de empaquetage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Number modèle :3DD13005
Tension de collecteur-base :700v
La température de jonction :℃ 150
Tension d'Émetteur-base :9V
Nom de produit :type de triode de semi-conducteur
Dissipation de collecteur :1.25W
Type :Transistor de triode
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TO-263-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 3DD13005 (NPN)

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Applications de changement de puissance

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 700 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 400 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 9 V
IC Courant de collecteur - continu 1,5
PC Dissipation de collecteur 1,25 W
TJ, Tstg Jonction et température de stockage -55~+150

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Ventres =25 Š sauf indication contraire


 

Ventres =25 Š sauf indication contraire

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO Ic= 1mA, IE=0 700     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT DE V (BR) Ic= 10 mA, IB=0 400     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO IE = 1mA, IC =0 9     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB = 700V, IE =0     1 mA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE = 400V, IB =0     0,5 mA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB = 9 V, IC =0     1 mA

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE = 5 V, IC = 0,5 A 8   40  
  hFE (2) VCE = 5 V, IC = 1.5A 5      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (s'est reposé) IC=1A, IB= 250 mA     0,6 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (s'est reposé) IC=1A, IB= 250mA     1,2 V
Tension d'émetteur de base VBE IE= 2A     3 V

 

Fréquence de transition

 

pi

VCE =10V, Ic=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

Mégahertz

Temps de chute tf IC =1A, IB1 =-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Temps d'entreposage solides totaux IC=250mA 2   4 µs

 

 

CLASSIFICATION de hFE1

Rang              
Gamme 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

CLASSIFICATION des solides totaux

 

Rang A1 A2 B1 B2
Gamme 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs)
         

 

 

 

Dimensions d'ensemble du paquet TO-92

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Mn. Maximum. Mn. Maximum.
4,470 4,670 0,176 0,184
A1 0,000 0,150 0,000 0,006
B 1,120 1,420 0,044 0,056
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
e 2,540 TYPE. 0,100 TYPES.
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
L 14,940 15,500 0,588 0,610
L1 4,950 5,450 0,195 0,215
L2 2,340 2,740 0,092 0,108
Φ
V 5,600 Réf. 0,220 Réf.

 

 

 

 

 

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