Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
ST, TI, Onsemi, NXP,XILINX , ALTERA, Central,ROHM, Microchip,ADI,AOS......Millions type chip at stocks for supporting! Provide products: MCU, IC, LDO, OPAMP, BJT, MOSFET, SBD, FRED, SCR, IGBT, SPD,
Add to Cart
RS1A PAR la tension inverse de BÂTI EXTÉRIEUR de RS1M - 50 à 1000 volts en avant de -1,0 ampères actuel
| Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants |
| Classification 94V-0 d'inflammabilité |
| Pour la basse fuite inverse montée extérieure d'applications |
| Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé |
| Capacité élevée de courant de montée subite en avant |
| La soudure à hautes températures a garanti : |
| 250 secondes C/10 sur des terminaux |
| Jonction passivée en verre de puce |
DONNÉES MÉCANIQUES
|
Cas : JEDEC DO-214AC a moulé le corps en plastique au-dessus de la puce passivée Terminaux : La soudure a plaqué, solderable par MIL-STD-750, la méthode 2026 |
|
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode Position de montage : Quels |
| Poids : 0,002 onces, 0,07 grammes |
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
|
Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%. |
|||||||||
| Numéro de catalogue de MDD | SYMBOLES | RS1A | RS1B | RS1D | RS1G | RS1J | RS1K | RS1M | UNITÉS |
| Tension inverse maximale répétitive maximum | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | VOLTS |
| Tension maximum de RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | VOLTS |
| Tension de blocage maximum de C.C | Volts continu | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | VOLTS |
|
La moyenne maximum a en avant rectifié actuel à TL =90 C |
JE (POIDS DU COMMERCE) | 1,0 | Ampère | ||||||
|
Courant de montée subite en avant maximal demi sinus-vague 8.3ms simple superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC) |
IFSM |
30,0 |
Ampères |
||||||
| Tension en avant instantanée maximum à 1.0A | VF | 1,3 | Volts | ||||||
|
VENTRES actuels =25 C d'inverse maximum de C.C aux VENTRES évalués =100 C de tension de blocage de C.C |
IR |
5,0 50,0 |
mA | ||||||
| Temps de rétablissement inverse maximum (NOTE 1) | trr | 150 | 250 | 500 | NS | ||||
| Capacité de jonction typique (NOTE 2) | CJ | 15,0 | PF | ||||||
| Résistance thermique typique (NOTE 3) | RqJA | 50,0 | C/W | ||||||
| Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | TJ, TSTG | -50 à +150 | C | ||||||
Note :
1. État inverse IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de récupération
2. Mesuré à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V
3. La résistance thermique de la jonction à ambiant à 0,375" la longueur d'avance (de 9.5mm), carte PCB a monté
ESTIMATIONS ET COURBES CARACTÉRISTIQUES RS1A PAR RS1M
