Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Manufacturer from China
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vitesse de commutation rapide de double de commutation 500mw diode Zener de diode double

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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vitesse de commutation rapide de double de commutation 500mw diode Zener de diode double

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Point d'origine :Shenzhen Chine
Quantité d'ordre minimum :PCS 1000-2000
Détails de empaquetage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Number modèle :BAV19W~BAV21W
Identité de produit :BAV19W~BAV21W
Caractéristique :Vitesse de changement rapide
Type :Redresseur de silicium
Dissipation de puissance :500mw
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SOD-123 Plastique-encapsulent la DIODE de COMMUTATION des diodes BAV19W~BAV21W

 

DIODE DE COMMUTATION DE BAV19W~BAV21W

CARACTÉRISTIQUES

Bas courant inverse de Ÿ

Paquet extérieur de bâti de Ÿ dans le meilleur des cas adapté à l'insertion automatique

Vitesse de commutation rapide de Ÿ

Ÿ pour des applications de changement d'usage universel

INSCRIPTION :

 


La barre de repérage indique la cathode

Point solide = dispositif composé de moulage vert,

si aucun, le dispositif normal.

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)

 

Symbole

 

Paramètre

Valeur

 

Unité

BAV19W BAV20W BAV21W
VRM Tension inverse maximale non répétitive 120 200 250 V
VRRM Tension inverse répétitive maximale

 

100

 

150

 

200

 

V

VRWM Tension inverse maximale fonctionnante
VR (RMS) Tension inverse de RMS 71 106 141 V
E/S Courant de sortie rectifié moyen 200 mA
IFSM Courant de montée subite en avant maximal non répétitif @ t=8.3ms 2,0
Palladium Dissipation de puissance 500 mW
RΘJA Résistance thermique de jonction à ambiant 250 ℃/W
Tj La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55~+150

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité

 

 

Courant inverse

 

 

IR

VR=100V BAV19W     0,1

 

 

uA

VR=150V BAV20W     0,1
VR=200V BAV21W     0,1

 

Tension en avant

 

VF

IF=100mA     1

 

V

IF=200mA     1,25
Capacité totale Ctot VR=0V, f=1MHz     5 PF
Temps de rétablissement inverse trr IF= IR =30mA, Irr=0.1*IR, RL=100Ω     50 NS

 

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
Minute Maximum Minute Maximum
1,050 1,250 0,041 0,049
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 1,050 1,150 0,041 0,045
b 0,450 0,650 0,018 0,026
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 1,500 1,700 0,059 0,067
E 2,600 2,800 0,102 0,110
E1 3,550 3,850 0,140 0,152
L 0,500 RÉFÉRENCES 0,020 RÉFÉRENCES
L1 0,250 0,450 0,010 0,018
θ

 

 

 

 

 

 

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