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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de récupération rapide sur des terminaux

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China Secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de récupération rapide sur des terminaux wholesale
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Secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de récupération rapide sur des terminaux
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Point d'origine :Shenzhen Chine
Quantité d'ordre minimum :PCS 1000-2000
Détails de empaquetage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Number modèle :RS3A PAR RS3M
Type :Diode de redresseur rapide de récupération
CARACTÉRISTIQUE :250 secondes C/10 sur des terminaux
Terminaux :Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,
Poids :0.003ounce, 0.093grams
Identité de produit :RS3A PAR RS3M
Cas :JEDEC DO-41 a moulé le corps en plastique
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RS3A PAR LE REDRESSEUR EXTÉRIEUR DU BÂTI FASTRE COVERY DE RS3M


 

CARACTÉRISTIQUE
Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
Pour les applications montées extérieures
Basse fuite inverse
Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
La soudure à hautes températures a garanti :
250 secondes C/10 sur des terminaux
Jonction passivée en verre de puce
 
Secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de récupération rapide sur des terminaux
 
 
DONNÉES MÉCANIQUES
 
 
Cas : JEDEC DO-214AC a moulé le corps en plastique au-dessus de la puce passivée
Terminaux : La soudure a plaqué, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0.003ounce, 0.093grams
 
 
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
Secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de récupération rapide sur des terminaux
 
 
 
Note :
1. État inverse IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de récupération
2. mesuré à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V
3. Résistance thermique de jonction à ambiant à 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm), mounte de carte PCB
 
Secondes C/10 à canal double du transistor MOSFET 250 de récupération rapide sur des terminaux
 
 
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