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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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capacité de crête élevée de perte de puissance faible de pont redresseur de 70V Schottky

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Pays / Région:china
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China capacité de crête élevée de perte de puissance faible de pont redresseur de 70V Schottky wholesale
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capacité de crête élevée de perte de puissance faible de pont redresseur de 70V Schottky
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Chaîne vidéo
Point d'origine :Shenzhen Chine
Quantité d'ordre minimum :PCS 1000-2000
Détails de empaquetage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Number modèle :MBRB10100CT-B
Transistor de transistor MOSFET de puissance :TO-263-2L Plastique-encapsulent des diodes
Type :Pont redresseur de Schottky
CARACTÉRISTIQUE :Perte de puissance faible, rendement élevé
Tension inverse de RMS :70V
Identité de produit :MBRB10100CT-B
TJ :125℃
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MBR3060CT/MBR3060FCT TO-220-3L Plastique-encapsulent la diode


 

CARACTÉRISTIQUE
 
Puce de barrière de Schottky
Perte de puissance faible, rendement élevé
Garde Ring Die Construction pour la protection passagère
Capacité de crête élevée
Capacité à forte intensité et basse chute de tension en avant
Pour l'usage dans la basse tension, inverseurs à haute fréquence, roulement libre,
et applications de protection de polarité
 
MAXIMUMRATINGS (Ta=25℃unlessotherwisenoted)
capacité de crête élevée de perte de puissance faible de pont redresseur de 70V Schottky
 
ELECTRICALCHARACTERISTICS (Ta=25℃unlessotherwisespecified)
 
capacité de crête élevée de perte de puissance faible de pont redresseur de 70V Schottky
 
 
Caractéristiques typiques
 
capacité de crête élevée de perte de puissance faible de pont redresseur de 70V Schottky
 
 
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