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Introduction
L'implantation ionique avancée par utilisations piézorésistives de logement de capteur de pression de HPT284/285 TO-8 et la technologie micro-mechanicalprocessing pour produire le silicium meurent qui a des ponts de Wheatstone et précise la structure mécanique, emballant le type des sensoras TO-8. La pression mesurée transimitted sur le silicium meurent par la pression portdirectly. Et la pression valuecan soit transformée en signal de tension de sortie par des relations de linéarités. Lasertrimming compense la représentation de la température de capteur. Le capteur a pu être utilisé sur la carte PCB ou la mesure de mesure de smallspacefieldsto, l'absolu ou le pressurefor de différentiel le liquide de gasor.
Caractéristiques
Différence de mesure, absolue et de pression.
Alimentation d'énergie de courant constant.
Gaz de mesure ou liquide non-conducteur et non-corrosif.
L'emballage TO-8, permettent pour l'installation de carte PCB.
Classe d'exactitude facultative.
port de 3/16 pouce.
Coût bas, dimension compacte.
Application
•Contrôle de la pression d'air
•Garde de physiologie
•Matériel médical, mètre de sang-pression
•Calibreur de pression
•Aviation et vol spatial
•Système de communication