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La cachette ébrèche 2,5 W/mK gris aucun radiateur préchauffant les matériaux changeants exigés de phase
Le TIC™808A est bas matériel thermique d'interface de point de fusion. À 50℃, la série de TIC™808A commence à se ramollir et couler, remplissant irrégularités microscopiques de la solution thermique et de la surface de paquet de circuit intégré, réduisant de ce fait la résistance thermique. La série de TIC™808A est un solide flexible à la température ambiante et libre sans renforcement des composants qui réduisent la représentation thermique.
Le TIC™808A ne montre aucune dégradation de représentation thermique après ℃ de 1 000 hours@130, ou après 500 cycles, de -25℃ au matériel 125℃.The ramollit et ne change pas entièrement l'état ayant pour résultat la migration minimale (pompez) aux températures de fonctionnement.
Fiche technique de série de TIC800A (E) - REV01.pdf
Caractéristiques :
> 0.018℃-dans la résistance thermique de /W de ²
> naturellement de mauvais goût à la température ambiante, aucun adhésif requis
> aucun préchauffage de radiateur requis
Applications :
> Microprocesseurs à haute fréquence
> Carnet et PC de bureau
> services d'ordinateur
> modules de mémoire
> puces de cachette
> IGBTs
Propriétés typiques des séries de TIC™800A | |||||
Nom de produit
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TICTM 803A
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TICTM 805A
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TICTM 808A
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TICTM 810A
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Normes d'essai
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Couleur
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Cendré
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Cendré
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Cendré
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Cendré
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Visuel
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Épaisseur composée
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0,003"
(0.076mm) |
0,005"
(0.126mm) |
0,008"
(0.203mm) |
0,010"
(0.254mm) |
|
Tolérance d'épaisseur
|
±0.0006 »
(±0.016mm) |
±0.0008 »
(±0.019mm) |
±0.0008 »
(±0.019mm) |
±0.0012 »
(±0.030mm) |
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Densité
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2.5g/cc
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Hélium Pycnomètre
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La température de travail
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-25℃~125℃
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la température de transition de phase
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50℃~60℃
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Conduction thermique
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2,5 W/mK
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ASTM D5470 (modifié)
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Lmpedance thermique @ 50 livres par pouce carré (345 KPa) @ 50 livres par pouce carré (345 KPa)
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0.018℃-dans le ² /W
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0.020℃-dans le ² /W
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0.047℃-dans le ² /W
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0.072℃-dans le ² /W
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ASTM D5470 (modifié)
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0.11℃-cm ² /W
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0.13℃-cm ² /W
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0.30℃-cm ² /W
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0.46℃-cm ² /W
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