Diode bidirectionnelle de déclencheur de DIAC de silicium DB3 SMA avec le paquet extérieur de bâti
Caractéristiques
1. Basse fuite inverse
2. Capacité de crête en avant élevée
3. La soudure à hautes températures a garanti : 250℃/10 secondes, 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm)
Données mécaniques
·Terminaux : Terminaux axiaux plaqués
·Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
·Position de montage : Quels
Capacités absolues
| Symboles | Paramètre | Valeur | Unité |
| DB3 |
| PC | Dissipation de puissance sur imprimé Circuit [L=10mm] | TA=50℃ | 150 | mW |
| ITRM | Sur-état maximal répétitif Actuel | tp=10us F=100Hz | 2,0 | |
| TSTG/TJ | Stockage et les 0 températures de jonction perating | -40 à +125/-40 110 | ℃ |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Valeur | Unité |
| Tension de suite | VBO | | Mn. | 28 | V |
| TYPE. | 32 |
| MAXIMUM. | 36 |
| Symétrie de tension de suite | |VBO1-VBO2| | C=22nF ** | MAXIMUM. | ±3 | V |
| Voltage* dynamique de suite | △V | VBO et VF à 10mA | Mn. | 5 | V |
| Voltage* de sortie | Vo | voir le diagramme 2 (R=20Ω) | Mn. | 5 | V |
| Current* de suite | IBOS | C=22nF ** | MAXIMUM. | 100 | μA |
| Time* de hausse | TR | | MAXIMUM. | 1,5 | μs |
| Current* de fuite | IR | VR=0.5VBO maximum | MAXIMUM. | 10 | μA |
Notes : caractéristiques 1.Electrical applicables dans en avant et des directions inverses.
2.Connected parallèlement aux dispositifs.
Taille :
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