L'électronique Cie., Ltd de Wuxi Xuyang.

Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

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diode de redresseur de silicium de 1A DO-41, diode de redresseur 1n4007 avec la fiabilité élevée

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Province / État:jiangsu
Pays / Région:china
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diode de redresseur de silicium de 1A DO-41, diode de redresseur 1n4007 avec la fiabilité élevée

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Numéro de type :1N4001S-1N4007S
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :5000pcs
Conditions de paiement :Union occidentale, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement :1000000pcs par mois
Délai de livraison :Stock
Détails d'emballage :5000pcs/box
Nom du produit :1N4001S-1N4007S
Actuel :1A
tension :50-1000V
Paquet :A-405
d'emballage :bande dans la boîte
SPQ :5000pcs/box
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diode de redresseur d'usage universel de 1A DO-41 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007

 

Caractéristique

 

* basse chute de tension en avant
* capacité à forte intensité
* fiabilité élevée
* capacité élevée de courant de montée subite

 

Données mécaniques

 

* cas : Plastique moulé
* époxyde : Taux de l'UL 94V-0 ignifuge
* avance : Terminaux axiaux, solderable par MIL-STD-202,
la méthode 208 a garanti
* polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
* position de montage : Quels
* poids : 0,22 grammes

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Les otherwies d'uniess de température ambiante de l'estimation 25 C ont spécifié.
Charge de mi-onde, de 60Hz, résistive ou inductive monophasé.
Pour la charge capacitive, sous-sollicitez actuel de 20%.

 

TYPE NOMBRE 1N4001S 1N4002S 1N4003S 1N4004S 1N4005S 1N4006S 1N4007S Unité
Tension inverse de crête récurrente maximum 50 100 200 400 600 800 1000 V
Tension maximum de RMS 35 70 140 280 420 560 700 V
Tension de blocage maximum de C.C 50 100 200 400 600 800 1000 V

Actuel rectifié en avant moyen maximum

.375" longueur d'avance (de 9.5mm) à Ta=75 C

1,0

Courant de montée subite en avant maximal, sinus-vague simple de 8,3 Mme demi

superposé à la charge évaluée (méthode de JEDEC)

Tension en avant instantanée maximum à 1.0A

 

30

1,0

 

 

 

V

Inverse maximum Ta=25 actuel C de C.C

à la tension de blocage évaluée de C.C Ta=100 C

5,0

50

uA

uA

Temps de rétablissement inverse maximum (note 1) 15 NS
Capacité de jonction typique (note 2) 50 PF
Température ambiante TJ, TSTG d'opération et de température de stockage -65 +150 °C


Dessin :

 

diode de redresseur de silicium de 1A DO-41, diode de redresseur 1n4007 avec la fiabilité élevée

 

 

Pourquoi choisissez-nous ?

1. ISO9001 : usine certifiée par 2008

2. 20 ans d'expérience riche de la production de diode

3. Le contrôle de qualité strict, réalisent la satisfaction maximum du client

4. La capacité de production annuelle est plus de 2 milliards

 

 

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