paquet ultra-rapide de la diode de redresseur de silicium de la récupération 1Amp 50-1000V ES1A-ES1M SMA
CARACTÉRISTIQUES
• L'époxyde rencontre l'estimation de l'inflammabilité V-0 de l'UL 94
• Niveau 1 de sensibilité d'humidité
• Soudure à hautes températures : 260 ? C pendant 10 secondes sur des terminaux
• Temps de rétablissement ultra-rapides pour le rendement élevé
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Les otherwies d'uniess de température ambiante de l'estimation 25 C ont spécifié.
Charge de mi-onde, de 60Hz, résistive ou inductive monophasé.
Pour la charge capacitive, sous-sollicitez actuel de 20%.
| Numéro de la pièce de MCC | Repérage de dispositif | Tension inverse de crête récurrente maximum | RMS maximum Tension | Tension de blocage maximum de C.C |
| ES1A | ES1A | 50V | 35V | 50V |
| ES1B | ES1B | 100V | 70V | 100V |
| ES1C | ES1C | 150V | 105V | 150V |
| ES1D | ES1D | 200V | 140V | 200V |
| ES1G | ES1G | 400V | 280V | 400V |
| ES1J | ES1J | 600V | 420V | 600V |
| ES1K | ES1K | 800V | 560V | 800V |
| ES1M | ES1M | 1000V | 700V | 1000V |
| Moyen expédiez Actuel | JE F (POIDS DU COMMERCE) | 1.0A | T = 75C |
| Montée subite en avant maximale Actuel | JE FSM | 30A | 8.3ms, demi sinus |
| Maximum Instantané Tension en avant ES1A-D ES1G-J ES1K~M | V F | .975V 1.35V 1.70V | IFM = 3.0A ;
T J = 25°C |
| C.C maximum Courant inverse à Blocage évalué de C.C Tension | JE R | 5uA 100uA | T J = 25C T J = 100C |
| Inverse maximum Temps de rétablissement ES1A-D ES1G-K ES1M | T rr | 50ns 75ns 100ns | I F =0.5A, I R =1.0A, I rr =0.25A |
| Jonction typique Capacité | C J | 45pF | Mesuré à 1.0MHz, V R =4.0V |
Taille :
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