Inverse à grande vitesse DO-34 actuel de DiodeLow de commutation de 1SS133 1SS244
Caractéristiques
1. enveloppe scellée en verre.
2. fiabilité élevée.
3. à grande vitesse.
Applications
Commutation à grande vitesse
Construction
Planaire épitaxial de silicium
Capacités absolues
Tj =25℃
| Paramètre | Symbole | Limite | Unité |
| Tension inverse de C.C | VR | 80 | V |
| Inverse maximal Voltage*1 | VRM | 90 | V |
| Courant de rectification moyen | E/S | 130 | mA |
| Crête en avant actuelle | IFM | 400 | mA |
| Courant de montée subite (1s) | Isurge | 600 | mA |
| Dissipation de puissance | P | 300 | mW |
| La température de jonction | Tj | 175 | °C |
| Température de stockage | SOLIDES TOTAUX | – 65 à +175 | °C |
Les efforts dépassant des estimations maximum peuvent endommager le dispositif. Les estimations maximum sont effort
estimations seulement. L'opération fonctionnelle au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées n'est pas impliquée.
L'exposition prolongée aux efforts au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées peut affecter le dispositif
fiabilité.
Caractéristiques électriques
Tj =25℃
| Paramètre | Symbole | Condition d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension en avant | VF | SI = 100mA | — | 0,92 | 1,0 | V |
| Courant inverse | IR | VR = 80V | — | 0,02 | 0,5 | μA |
| Capacité entre les terminaux | CT | VR = 0.5V, f =1.0 mégahertz | — | 1,55 | 2 | PF |
| Temps de rétablissement inverse | trr | VR = 0.5V, SI = 10mA, RL = 50Ω | — | 1,5 | 4 | NS |
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