Planaire épitaxial de silicium pour la diode de changement à haute tension 1SS83
Caractéristiques
• Tension inverse élevée (VR = 250V)
• Fiabilité élevée avec le joint en verre
.
Données mécaniques
Cas : Caisse en verre DO-35
Poids : approximativement 0.13g
Capacités absolues
| Paramètre | Symbole | Limite | Unité |
| Tension inverse | VR | 250 | V |
| Inverse maximal Voltage*1 | VRM | 300 | V |
| Courant rectifié moyen | E/S | 200 | mA |
| Crête en avant actuelle | IFM | 625 | mA |
| Courant de montée subite en avant maximal non répétitif | IFSM *2 | 1 | |
| Dissipation de puissance | Palladium | 400 | mW |
| La température de jonction | Tj | 175 | °C |
| Température de stockage | SOLIDES TOTAUX | – 65 à +175 | °C |
Caractéristiques électriques (TJ = 25°C sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Condition d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension en avant | VF | SI = 100mA | — | — | 1,0 | V |
| Courant inverse | IR1 | VR = 200V | — | — | 200 | Na |
| IR2 | VR = 300V | — | — | 100 | μA |
| Capacité | C | VR = 0V, f =1.0 mégahertz | — | 1,5 | — | PF |
| Temps de rétablissement inverse | trr | SI = IR = 30mA, IRR = 3 mA, RL = 100Ω | — | — | 100 | NS |
Dessin :
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