L'électronique Cie., Ltd de Wuxi Xuyang.

Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

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Diodes de commutation rapides de petit signal d'usage universel 1N4448 avec le cas DO-35

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Province / État:jiangsu
Pays / Région:china
Contact:MsBixia Wu
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Diodes de commutation rapides de petit signal d'usage universel 1N4448 avec le cas DO-35

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Numéro de type :1N4448
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :5000pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement :100000pcs par 1 semaine
Délai de livraison :5 - 8 jours de travail
Détails d'emballage :bande dans la boîte, 5000pcs/box
Nom :Diode de commutation
Numéro de pièce :1N4448
VR :75V
Affaire :DO-35
La température de jonction :175°C
La température de stockage :– 65 à +175°C
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diode simple à grande vitesse de diode de commutation 1N4448 petite avec le cas DO-35

 

 

Caractéristiques

 

• Diode planaire épitaxiale de silicium

• Diode de changement rapide.

• Cette diode est également disponible dans d'autres styles de cas comprenant le cas SOD-123 avec le type

désignation 1N4448W, le cas de MiniMELF avec le type désignation LL4148, le SOT-23

cas avec le type désignation IMBD4148.

.

Données mécaniques

Cas : Caisse en verre DO-35

Poids : approximativement 0.13g

 

Estimations maximum et caractéristiques thermiques (MERCI = 25°C sauf indication contraire)

Paramètre Symbole Limite Unité
Tension inverse VR 75 V
Tension inverse maximale VRM 100 V

Courant rectifié moyen

Rectification à demi onde avec la charge résistive à Tamb = à 25°C

SI (POIDS DU COMMERCE) 150 mA
Courant en avant de montée subite à t < 1s et Tj = 25°C IFSM 500 mA
Dissipation de puissance à Tamb = à 25°C Ptot 500 mW
Jonction de résistance thermique à l'air ambiant RθJA 350 °C/W
La température de jonction Tj 175 °C
Température de stockage SOLIDES TOTAUX – 65 à +175 °C

 

Caractéristiques électriques (TJ = 25°C sauf indication contraire)

Paramètre Symbole Condition d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension en avant VF

SI = 5mA

SI = 100mA

0,62

0,70

1,0

V
Fuite actuelle IR

VR = 20V

VR = 75V

VR = 20V, TJ = 150°C

25

5

50

Na

μA

μA

Tension claque inverse V (BR) R IR = 100ìA (pulsés) 100 V
Capacité Ctot VF = VR = 0V 4 PF
Temps de rétablissement inverse trr

SI = 10mA, IR = 1mA,

VR = 6V, RL = 100Ù

4 NS
Efficacité de rectification nanovolt f = 100MHz, VRF = 2V 0,45

 

Dessin :

Diodes de commutation rapides de petit signal d'usage universel 1N4448 avec le cas DO-35

Diodes de commutation rapides de petit signal d'usage universel 1N4448 avec le cas DO-35

 

notre service :

La condition courante est toujours mise à jour, bienvenue pour nous contacter pour plus de détails.

Nous promettons de citer seulement des produits avec le vrai état de 100%, ne nous vendons jamais refourbi ou copie comme original.

Notre objet est de faire la coopération à long terme.

Choisissez-nous, vous nous trouvera professionnels, toujours dignes de confiance et faciles de faire des affaires.

Société ici avec confiance, nous te fournissons l'excellent service après-vente, vous ne regretterons jamais

choix de nous.

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