diode de commutation 1N4150 à grande vitesse 1N4150 50V 200MA avec le paquet DO-35
Caractéristiques
1. Fiabilité élevée
2. capacité actuelle en avant élevée
.
Applications
Commutateur à grande vitesse et utilisation d'usage universel dans l'ordinateur et les applications industrielles
Construction
Planaire épitaxial de silicium
Données mécaniques
Cas : DO-35, MiniMELF
Terminaux : Avances plaquées Solderable par MIL-STD-202, méthode 208
Polarité : Bande de cathode
Poids : DO-35 0,13 grammes de MiniMELF 0,05 grammes
Inscription : Bande de cathode seulement
Capacités absolues
TJ = 25°C
| Paramètre | Conditions d'essai | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension inverse maximale répétitive | | VRRM | 50 | V |
| Tension inverse | | VR | 40 | V |
| Courant de montée subite en avant maximal | tp≦1 s | IFSM | 4 | |
| Courant en avant | | SI | 600 | mA |
| Courant en avant moyen | VR =0 | IFAV | 300 | mA |
| Dissipation de puissance | | Picovolte | 500 | mW |
| La température de jonction | | Tj | 175 | ℃ |
| Température ambiante de température de stockage | | Tstg | -65~+125 | ℃ |
Résistance thermique maximum
TJ = 25°C
| Paramètre | Conditions d'essai | Symbole | Valeur | Unité |
| Jonction ambiante | sur la carte de circuit imprimé 50mm×50mm×1.6mm | RthJA | 500 | K/W |
Caractéristiques électriques
TJ = 25°C
| Paramètre | Condition d'essai | Symbole | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension en avant | SI = 1mA | VF | 0,54 | | 0,62 | V |
| SI = 10mA | VF | 0,66 | | 0,74 | V |
| SI = 50mA | VF | 0,76 | | 0,86 | V |
| SI = 100mA | VF | 0,82 | | 0,92 | V |
| SI = 200mA | VF | 0,87 | | 1,0 | V |
| Courant inverse | VR = 20V | IR | | | 100 | Na |
| VR = 50V, TJ = 150°C | IR | | | 100 | μA |
| Capacité de diode | VR = 0, f=1MHz, VHF-50mV | CD | | | 2,5 | PF |
| Temps de rétablissement inverse | SI = IR = 10… 100mA, IR = 1mA, RL = 100Ω | trr | | | 4 | NS |
Dessin :
