Diode de commutation CD4148 à grande vitesse avec 0603 0805 petit signal Chip Diode de 1206 cas
Avec les capacités fortes de R&D, l'équipement de production avancé et les dispositifs parfaits de mesure.
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Tous les produits ont passé l'essai dangereux de substance, ont répondu à des normes d'UE et des Etats-Unis
Caractéristiques
1. Diode planaire épitaxiale de silicium
2. Vitesse de changement rapide
DONNÉES MÉCANIQUES
* cas : /1206 0603/0805
* inscription : Flèche de cathode
Caractéristiques électriques (TJ = 25°C sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Condition d'essai | Minute | Maximum | Unité |
| Tension claque inverse | VBR | IR = 100μA | 100 | | V |
| Courant inverse de fuite | IR | VR = 20V VR = 75V | | 25 5,0 | Na μA |
| Tension en avant | VR | SI = 10mA | | 1,0 | V |
| Capacité de diodes | CD | VF=VR = 0V, f =1.0 mégahertz | | 4 | PF |
| Temps de rétablissement inverse | trr | SI = IR = 10mA, | | 4 | NS |
Estimation
| Estimation | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension inverse continue | VR | 75 | V |
| Tension inverse maximale | VRRM | 100 | V |
| Courant en avant continu | SI | 150 | mA |
| Courant en avant maximal | SI (POIDS DU COMMERCE) | 200 | mA |
| Courant de montée subite en avant maximal à f | IFRM | 2000 | mA |
| Dissipation de puissance | Palladium | 500 | mW |
| La température de jonction (1) | Tj | 175 | °C |
| Température ambiante de température de stockage (1) | SOLIDES TOTAUX | – 55 à +150 | °C |
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