diode de commutation à grande vitesse de paquet de 0.15A 75V 4.0nS DO-35 1N4148
Caractéristiques
• Diode planaire épitaxiale de silicium
• Diode de changement rapide.
• Cette diode est également disponible dans d'autres styles de cas comprenant le cas SOD-123 avec le type
désignation 1N4148W, le cas de MiniMELF avec le type désignation LL4148, le SOT-23
cas avec le type désignation IMBD4148.
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Données mécaniques
Cas : Caisse en verre DO-35
Poids : approximativement 0.13g
Dessin :
Estimations maximum et caractéristiques thermiques (MERCI = 25°C sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Limite | Unité |
| Tension inverse | VR | 75 | V |
| Tension inverse maximale | VRM | 100 | V |
| Courant rectifié moyen Rectification à demi onde avec la charge résistive à Tamb = à 25°C | SI (POIDS DU COMMERCE) | 150 | mA |
| Courant en avant de montée subite à t < 1s et Tj = 25°C | IFSM | 500 | mA |
| Dissipation de puissance à Tamb = à 25°C | Ptot | 500 | mW |
| Jonction de résistance thermique à l'air ambiant | RθJA | 350 | °C/W |
| La température de jonction | Tj | 175 | °C |
| Température de stockage | SOLIDES TOTAUX | – 65 à +175 | °C |
Caractéristiques électriques (TJ = 25°C sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Condition d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension claque inverse | V (BR) R | IR = 100μA | 100 | | | V |
| Tension en avant | VF | SI = 10mA | — | — | 1,0 | V |
| Fuite actuelle | IR | VR = 20V VR = 75V VR = 20V, TJ = 150°C | — | — | 25 5 50 | Na μA μA |
| Capacité | Ctot | VF = VR = 0V | — | — | 4 | PF |
| Hausse de tension en branchant (examiné avec impulsions 50mA) | Vfr | tp = 0.1μs, temps de montée < 30ns point de gel = 5 à 100kHz | — | — | 2,5 | NS |
| Temps de rétablissement inverse | trr | SI = 10mA, IR = 1mA, VR = 6V, RL = 100Ω | — | — | 4 | NS |
| Efficacité de rectification | nanovolt | f = 100MHz, VRF = 2V | 0,45 | — | — | — |
