HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

LIMITÉ INDUSTRIEL DU HK UPPERBOND

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Modèle de Molins MK9 Through-Hole Version Mosfet Irfz44ns pour des machines de Kretek

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Ville:hong kong
Province / État:hong kong
Pays / Région:china
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Modèle de Molins MK9 Through-Hole Version Mosfet Irfz44ns pour des machines de Kretek

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Number modèle :Fabricant
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :2 PCs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10000 PCs/mois
Délai de livraison :5-8 jours
Détails de empaquetage :Carton
Diamètre de cigarette :5.4mm - 8.0mm
Couleur :Gris/argent
Port d'embarquement :Guangzhou, Changhaï
Machine applicable :Cigarettier
Modèles de machine :Protos, passim, MK8, MK9,
Condition :Tout neuf
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Modèle de Molins MK9 Through-Hole Version Mosfet Irfz44ns pour des machines de Kretek

Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.

Estimations et caractéristiques de Source-drain

Paramètre Type Maximum.
Est Courant de source continu (diode de corps) 49
Doctrine Courant de source pulsé (diode de corps)① 160
VsD Tension en avant de diode 1,3
trr Temps de rétablissement inverse 63 95
Qrr Charge inverse de récupération 170 260

Radio de transistor de poche

La première radio de transistor de poche de « prototype » a été montrée par INTERMETALL (une société fondée par Herbert Mataré en 1952) chez l'Internationale Funkausstellung Düsseldorf entre le 29 août 1953 et le 6 septembre 1953. La première radio de transistor de poche de « production » était Regency TR-1, libéré en octobre 1954.

Production en série

Pendant les années 1950, l'ingénieur égyptien Mohamed Atalla a étudié les propriétés extérieures des semi-conducteurs de silicium chez Bell Labs, où il a proposé une nouvelle méthode de fabrication de dispositif de semi-conducteur, enduisant une gaufrette de silicium d'une couche d'isolation d'oxyde de silicium de sorte que l'électricité ait pu sûrement pénétrer au silicium de conduite ci-dessous, surmontant les déclarer extérieurs qui ont empêché l'électricité d'atteindre le semi-conducteur. Ceci est connu comme passivation de surface, une méthode qui est devenue critique à l'industrie de semi-conducteur en tant qu'elle plus tard a rendu la production en série possible des circuits intégrés de silicium.

Modèle de Molins MK9 Through-Hole Version Mosfet Irfz44ns pour des machines de Kretek

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