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Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226TE85IF pour la commutation ultra à grande vitesse

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China Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226TE85IF pour la commutation ultra à grande vitesse wholesale
  • China Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226TE85IF pour la commutation ultra à grande vitesse wholesale

Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226TE85IF pour la commutation ultra à grande vitesse
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Number modèle :1SS26 (C3)
Quantité d'ordre minimum :1 morceau
Conditions de paiement :T/T
Délai de livraison :2~8 jours ouvrables
Marque :Semi-conducteur de ROHM
Certificat :/
Modèle :1SS26 (C3)
MOQ :1 PC
La livraison :2~8 jours ouvrables
Paiement :T/T
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Description de produit

 

Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitesse

 

 

1. Applications

• Commutation d'Ultra-Haut-vitesse

 

2. Caractéristiques

(1) AEC-Q101 a qualifié

 

Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226TE85IF pour la commutation ultra à grande vitesse
 
Caractéristique Commutation ultra-rapide
Connexion interne Série
Nombre de circuits 2
AEC-Q101 Qualifié (*)
Produits compatibles de RoHS (#) Disponible

1SS226TE85IF

Diode commutant 85V 0.1A 3-Pin S-mini T/R

 

Mots clés du produit:

ir mosfet

triac dimmable led driver ic

p enhancement mosfet model
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