La description:
Ce MOSFET de puissance HEXFET® utilise les dernières techniques de traitement pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium.
Les caractéristiques supplémentaires de ce produit sont une température de fonctionnement de jonction de 175°C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure résistance aux avalanches répétitives.Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un appareil extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.

Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220AB Spécification :

Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets
	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Forfait	Tube
Type FET	Canal N
Technologie	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)	40V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	180A (TC)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3,7 mOhms à 75 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC à 10 V
Vg (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4340 pF à 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (maximale)	200W (TC)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	À travers le trou
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet/caisse	TO-220-3
Numéro de produit de base	IRF1404

Mots clés du produit:

IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de puissance IRFB7440PBF 40V 120A

IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de puissance IRFB7440PBF 40V 120A

irfz44n mosfet

mosfet 200a

4435 mosfet