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Transistors MOSFET discrets de puissance des semi-conducteurs SIHF10N40D-E3 de transistor de la Manche de N
UE RoHS | Conforme |
ECCN (US) | EAR99 |
Statut de partie | Actif |
HTS | 8541.29.00.95 |
Des véhicules à moteur | Non |
PPAP | Non |
Catégorie de produit | Transistor MOSFET de puissance |
Configuration | Simple |
Mode de la Manche | Amélioration |
Type de la Manche | N |
Nombre d'éléments par puce | 1 |
Tension maximum de source de drain (v) | 400 |
Tension de source de porte maximum (v) | ±30 |
Tension maximum de seuil de porte (v) | 5 |
Drain continu maximum (a) actuel | 10 |
Courant maximum de fuite de source de porte (Na) | 100 |
IDSS maximum (uA) | 1 |
Résistance maximum de source de drain (MOhm) | 600@10V |
Charge typique @ Vgs (OR) de porte | 15@10V |
Charge typique @ 10V (OR) de porte | 15 |
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée | 526@100V |
Dissipation de puissance maximum (mW) | 33000 |
Temps typique d'automne (NS) | 14 |
Temps de montée typique (NS) | 18 |
Temps de retard d'arrêt typique (NS) | 18 |
Temps de retard d'ouverture typique (NS) | 12 |
Température de fonctionnement minimum (°C) | -55 |
Température de fonctionnement maximum (°C) | 150 |
Paquet de fournisseur | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Nom de forfait standard | TO-220 |
Support | Par le trou |
Taille de paquet | 16,12 (maximum) |
Longueur de paquet | 10,63 (maximum) |
Largeur de paquet | 4,83 (maximum) |
La carte PCB a changé | 3 |
Étiquette | Étiquette |
Forme d'avance | Par le trou |
Numéro de la pièce | SIHF10N40D-E3 |
Numéro de la pièce bas | SIHF10N40 |
UE RoHS | Conforme avec l'exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Statut de partie | Actif |
HTS | 8541.29.00.95 |