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Transistor IHW30N160R2 IGBT des dispositifs à semi-conducteurs discrets de puissance H30R1602

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Ville:guangzhou
Province / État:guangdong
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China Transistor IHW30N160R2 IGBT des dispositifs à semi-conducteurs discrets de puissance H30R1602 wholesale
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Transistor IHW30N160R2 IGBT des dispositifs à semi-conducteurs discrets de puissance H30R1602
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Number modèle :IHW30N160R2FKSA1
Quantité d'ordre minimum :1 morceau
Conditions de paiement :T/T
Délai de livraison :2~8 jours ouvrables
Marque :Infineon Technologies/redresseur international IOR
Certificat :/
Modèle :IHW30N160R2FKSA1
MOQ :1 PC
La livraison :2~8 jours ouvrables
Paiement :T/T
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Description du produit

IHW30N160R2 Transistors IGBTs H30R1602 Série à commutation douce Semi-conducteurs de puissance IC IHW30N160R2FKSA1Série de commutation douce

Applications:
• Cuisson par induction
• Applications de commutation logicielle

La description:

TrenchStop® Reverse Conducting (RC-)IGBT avec diode à corps monolithique
Traits:
• Puissante diode de corps monolithique avec très faible tension directe
• La diode du corps bloque les tensions négatives
• La technologie Trench et Fieldstop pour les applications 1600 V offre :
- distribution de paramètres très serrée
- haute robustesse, comportement stable en température
• La technologie NPT offre une capacité de commutation parallèle facile grâce à
coefficient de température positif en VCE(sat)
• Faible EMI
• Qualifié selon JEDEC1
pour les applications cibles
• Placage de plomb sans plomb ;Conforme RoHS

Spécification : IGBT NPT, arrêt de champ de tranchée 1 600 V 60 A 312 W Trou traversant PG-TO247-3-1

Numéro d'articleIHW30N160R2
Catégorie
Produits semi-conducteurs discrets
　
Transistors - IGBT - Unique
Série
TrenchStop®
Forfait
Tube
Type d'IGBT
NPT, arrêt de champ de tranchée
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max)
1600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
60 A
Courant - Collecteur Pulsé (Icm)
90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Puissance - Max
312W
Changement d'énergie
4.37mJ
Type d'entrée
Standard
Frais de porte
94 nC
Td (marche/arrêt) @ 25°C
-/525ns
Condition de test
600V, 30A, 10Ohms, 15V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
À travers le trou
Paquet/caisse
TO-247-3
Ensemble d'appareils du fournisseur
PG-TO247-3-1
Mots clés du produit:

5401dm transistor

transistor igbt

power transistor datasheet
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