Description de produit
Semi-conducteurs discrets BJT de transistor bipolaire de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia
Transistor bipolaire 500V 0,5 de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia (BJT) UN NPN transistor à haute tension de NPN un bas VCEsat (BISS)
Transistor à haute tension discret des produits-Un NPN bas VCEsat (BISS) de semi-conducteur
Description :
Percée à haute tension de NPN basse VCEsat dans le petit transistor du signal (BISS) dans une puissance SOT89 (SC-62) moyenne et un paquet en plastique du dispositif Surface-monté par avance plate (SMD). Complément de PNP : PBHV9040X.
Application :
• Conducteur de LED pour le module à chaînes de LED
• Contre-jour d'affichage à cristaux liquides
• Gestion des véhicules à moteur de moteur
• Commutateur de crochet pour des télécom de câble
• Alimentation d'énergie de mode de commutateur (SMPS)
Caractéristiques :
• Haute tension
• Basse tension de saturation de collecteur-émetteur VCEsat
• Capacité élevée IC et missile aux performances améliorées de courant de collecteur
• HFE élevé de gain actuel de collecteur chez haut IC
• AEC-Q101 a qualifié
Version de description de nom
Paquet surface-monté en plastique de PBHV8540X SOT89 ; meurent la protection pour le bon transfert de chaleur ; 3 avances
Spécifications techniques de produit
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Catégorie
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Produits semiconducteurs discrets
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Transistors - bipolaires (BJT) - simples
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Mfr
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Statut de partie
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Type de transistor
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Actuel - collecteur (IC) (maximum)
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Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum)
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Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC
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Actuel - coupure de collecteur (maximum)
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Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce
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Puissance - maximum
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Fréquence - transition
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Température de fonctionnement
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Montage du type
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Paquet/cas
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Paquet de dispositif de fournisseur
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Nombre bas de produit
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PBHV8540
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| Numéro de la pièce |
PBHV8540X, 115 |
| UE RoHS |
Conforme avec l'exemption |
| ECCN (US) |
EAR99 |
| Statut de partie |
Actif |
| HTS |
8541.29.00.95 |
Images :
