Numéro de la pièce	IXGH24N170
Catégorie	Produits semiconducteurs discrets
	Transistors - IGBTs - simples
Mfr	IXYS
Série	-
Paquet	Tube
Statut de partie	Actif
Type d'IGBT	TNP
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum)	1700 V
Actuel - collecteur (IC) (maximum)	50 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées)	150 A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC	3.3V @ 15V, 24A
Puissance - maximum	250 W
Énergie de changement	8mJ ()
Type d'entrée	Norme
Charge de porte	106 OR
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C	42ns/200ns
Condition d'essai	1360V, 50A, 5Ohm, 15V
Température de fonctionnement	-55°C \| 150°C (TJ)
Montage du type	Par le trou
Paquet/cas	TO-247-3
Paquet de dispositif de fournisseur	TO-247AD
Nombre bas de produit	IXGH24

Numéro de la pièce	IXGH24N170 IXGT24N170
Numéro de la pièce bas	IXGH24

Caractéristiques

Forfaits standards internationaux

JEDEC TO-268 et

ANNONCE DE JEDEC TO-247

Capacité de manipulation à forte intensité

Mise en fonction de MOS Gate

- simplicité d'entraînement

Structure rocailleuse de TNP

Les époxydes de moulage rencontrent l'UL 94V-0

classification d'inflammabilité

Applications

Décharge de condensateur et circuits pulser

Contrôle de vitesse de moteur à C.A.

Commandes de servo et de robot de C.C

Couperets de C.C

Alimentations d'énergie non interruptible (UPS)

alimentations de Commuter-mode et d'énergie de résonnant-mode

Avantages

Densité de puissance élevée

Approprié au support extérieur

Facile à monter avec 1 vis, (trou d'isolement de vis de montage)

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT	DESCRIPTION
Statut de RoHS	ROHS3 conforme
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL)	1 (illimité)
Statut de PORTÉE	ATTEIGNEZ inchangé
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095

Haute tension discrète des dispositifs de semi-conducteur d'IGBT IXGH24N170 IXYS IXGH24

high voltage igbt