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Guangzhou Topfast Technology Co., Ltd.

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dispositifs de semi-conducteur discrets de 900V 6A 06N90E FMV06N90E FMH06N90E

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Ville:guangzhou
Province / État:guangdong
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China dispositifs de semi-conducteur discrets de 900V 6A 06N90E FMV06N90E FMH06N90E wholesale
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Number modèle :IRF1404PBF IRF1404ZPBF
Quantité d'ordre minimum :1 morceau
Conditions de paiement :T/T
Délai de livraison :2~8 jours ouvrables
Marque :Infineon
Certificat :/
Modèle :IRF1404PBF IRF1404ZPBF
MOQ :1 PC
La livraison :2~8 jours ouvrables
Paiement :T/T
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Description de produit

 

Semi-conducteurs discrets 900V 6A de 06N90E FMV06N90E FMH06N90E

 

Transistor MOSFET simple de puissance de N-canal d'IRF1404 IRF1404PBF IRF1404Z IRF1404ZPBF 40V dans un paquet TO-220

Au sujet d'IRF1404PBF :

 

Résumé des caractéristiques
Transistor MOSFET simple de puissance de N-canal d'IRF1404 40V dans un paquet TO-220
Structure cellulaire planaire pour SOA large
Optimisé pour la plus large disponibilité des associés de distribution
Qualification de produit selon la norme de JEDEC
Paquet industriellement compatible de puissance de surface-bâti
Estimation à forte intensité

 

Avantages :

Rugosité accrue
Compatibilité à plusieurs fournisseurs
Niveau industriellement compatible de qualification
Le pinout standard tient compte de la baisse en remplacement
Capacité de transport à forte intensité

Spécifications techniques de produit

Parametrics IRF1404
Identification (@25°C) maximum 202 A
Support THT
Ptot maximum 200 W
Paquet TO-220
Polarité N
QG (type @10V) 131 OR
Qgd 42 OR
Le RDS (dessus) (@10V) maximum mΩ 4
RthJC maximum 0,75 K/W
Usages spéciaux SOA large
Tj maximum °C 175
VDS maximum 40 V
Minute de VGS (Th) maximum 3 V 2 V 4 V
VGS maximum 20 V

 

Mots clés du produit:

diode 808nm

diode uf4007

808nm diode
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