+37 dBm IIP3
•
Aucun éléments assortis externes
Requis
•
Rf 1850-1990 mégahertz
•
LO 1700-1940 mégahertz
•
SI 50-150 mégahertz
•
niveau d'entraînement de +17 dBm
•
polarisation de +3V (25 mA)
•
J-avance extérieure de bâti de coût bas
Paquet
Diagramme fonctionnel
18 17 16 15 14 13 12 11 10
123456 789
Fonction Pin No.
La terre
1
SI
2
La terre
3-7
C.C de +3V
8
La terre
9
Fonction Pin No.
La terre
10
LO
11
La terre
12-16
Rf
17
La terre
18
Mélangeur de FET de High Dynamic Range
Capacités absolues
Paramètre
Estimation
Température de carter fonctionnante
-40 à +85°C
Température de stockage
-65 à +100°C
Puissance d'entrée maximum
dBm 25
1. Le fonctionnement de ce dispositif au-dessus de l'un de ces paramètres peut endommager permanent.
2. La somme totale de puissance de LO port et de port de rf ne devrait pas dépasser le dBm 25.
L'information de commande
Numéro de la pièce.
Description
HMJ2
Mélangeur de FET de High Dynamic Range
(Disponible dans la bande et la bobine)
HMJ2-PCB
Circuit entièrement assemblé d'application
Caractéristiques
Paramètre
Unités
Minimum
Typique
Maximum
Condition
Plage de fréquence :
Rf mégahertz
1850
1990
LO
Mégahertz
1700
1940
SI
Mégahertz
50
150
Perte de conversion de SSB
DB
9,0
10,3
Chiffre de bruit
DB
10,5
Isolement :
LO-RF
DB
17
32
LO-IF
DB
22
29
RF-IF
DB
15
IIP3
dBm
32
37
Rf = 1900 mégahertz (0dBm)
Perte de retour :
Port de rf
DB
12
Port de LO
DB
10
SI gauche
DB
14
Entrée P1dB
dBm
23
Niveau d'entraînement de LO
dBm
17
Courant de C.C à la polarisation de +3V
mA
25
35
Conditions d'essai sauf indication contraire : Rf = 1900 mégahertz (- dBm 10), LO = 1800 mégahertz (dBm 17), SI = 100 mégahertz et ̊C 25.
Les communications affilent
