Drachme 8 Gbit 512Mx16 d'IC de mémoire instantanée de MT40A512M16HA-083E

MT40A512M16HA-083E : Une DRACHME SDRAM - plateau de la mémoire IC de DDR4 SMD/SMT

• VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV

• VPP = 2.5V, – 125mV, +250mV

• Sur-matrice, génération interne et réglable de VREFDQ

• pseudo entrée-sortie du l'ouvert-drain 1.2V

• Régénérez la période du cycle 8192 à la température ambiante de comité technique : – 64ms à -40°C à 85°C – 32ms à >85°C à 95°C – 16ms à >95°C à 105°C

• 16 banques internes (x4, x8) : 4 groupes de 4 banques chacun

• 8 banques internes (x16) : 2 groupes de 4 banques chacun

• architecture du prefetch 8n-bit

• Préambules programmables de stroboscope de données

• Formation de préambule de stroboscope de données

• Latence de commande/adresse (calories)

• LECTURE universelle de registre et ÉCRIRE la capacité

• Mise à niveau Write • L'individu régénèrent le mode

• L'individu automatique de basse puissance régénèrent (LPASR)

• À température contrôlée régénérez (TCR)

• La granularité fine régénèrent

• L'individu régénèrent l'arrêt

• Économie de puissance maximum

• Calibrage de conducteur de sortie

• Nominal, parc, et arrêt dynamique de sur-matrice (ODT)

• Inversion de bus de données (DBI) pour le bus de données

• Commande/parité d'adresse (CA)

• Databus écrivent le contrôle par redondance cyclique (le centre de détection et de contrôle)

• Possibilité d'adressage de Par-DRACHME

• Essai de connectivité

• JEDEC JESD-79-4 conforme

• capacité de sPPR et de hPPR