Mémoire à semiconducteurs S29GL01GS10TFI010 IC NI parallèle de l'INSTANTANÉ 1G 3V 100NS NI circuits intégrés instantanés
Caractéristiques :
| Capacité de la mémoire : |
1 Gbit |
| Tension d'alimentation - minute : |
2,7 V |
| Tension d'alimentation - maximum : |
3,6 V |
| Type d'interface : |
Parallèle |
| Organisation : |
64 M X 16 |
| Largeur de bus de données : |
bit 16 |
| Type de synchronisation : |
Asynchrone |
| Température de fonctionnement minimum : |
- 40 C |
| Température de fonctionnement maximum : |
+ 85 C |
| Emballage : |
Plateau |
| Architecture : |
Éclipse |
| Type de mémoire : |
NI |
| Humidité sensible : |
Oui |
| Vitesse : |
100 NS |
| Quantité de paquet d'usine : |
910 |
| Sous-catégorie : |
Mémoire et stockage de données |
| Courant d'approvisionnement - maximum : |
60 mA |
Caractéristiques distinctives
CMOS noyau de 3,0 volts avec l'entrée-sortie souple
technologie d'éclipse de nanomètre MirrorBit du 65
approvisionnement simple de (VCC) pour la lecture/programme/effacement (2,7 V à 3,6 V)
caractéristique souple d'entrée-sortie de – grand choix de tension d'entrée-sortie (es) : 1,65 V à VCC
bus de données du ×16
la page asynchrone de 32 octets de a lu
tampon de programmation de 512 octets – programmant dans des multiples de page, jusqu'à un maximum de 512 octets
mot simple de et programme multiple en les mêmes options de mot
de contrôle d'erreurs automatique de et correction (CCE) – CCE interne de matériel avec de correction d'erreurs à bit unique
effacement de secteur de – uniforme 128 secteurs de K byte
le suspendent et reprennent des commandes pour des opérations de programme et d'effacement.
