Stockage de données magnétorésistant de mémoire de la mémoire MR0A08BCYS35 à accès sélectif (MRAM) EHHD024A0A41Z DE118-RS-20/6.35
AVANTAGES DE CARACTÉRISTIQUES
• Une mémoire remplace l'ÉCLAIR, le SRAM, l'EEPROM et le MRAM dans le système pour une conception plus simple et plus efficace
• Améliore la fiabilité en remplaçant SRAM soutenu par la batterie
• Alimentation d'énergie de 3,3 volts
• Rapidement cycle lecture/écriture de 35 NS
• Synchronisation compatible de SRAM
• Non volatilité indigène
• Lecture illimitée et écrire la résistance
• Données toujours non-volatiles pendant les années >20 à la température
• Les températures commerciales et industrielles
• Tous les produits atteignent le niveau de sensibilité d'humidité MSL-3
• Paquets RoHS-conformes de TSOP2 et de BGA
AVANTAGES
• Une mémoire remplace l'ÉCLAIR, le SRAM, l'EEPROM et le MRAM dans le système pour une conception plus simple et plus efficace
• Améliore la fiabilité en remplaçant SRAM soutenu par la batterie
| Catégorie de produit : |
MRAM |
|
TSOP-44 |
|
Parallèle |
|
1 Mbit |
|
128 k X 8 |
|
bit 8 |
|
35 NS |
|
3 V |
|
3,6 V |
|
55 mA |
|
- 40 C |
|
+ 85 C |
|
MR0A08B |
|
Plateau |
| Humidité sensible : |
Oui |
| Montage du style : |
SMD/SMT |
| Type de produit : |
MRAM |
|
135 |
| Sous-catégorie : |
Mémoire et stockage de données |
| Poids spécifique : |
0,178707 onces |
