Walton Electronics Co., Ltd.
Shenzhen Walton Electronics Co. , Ltd.
Add to Cart
transistors bipolaires des semi-conducteurs 2N3439 discrets par le trou TO-39-3
| Fabricant : | original |
| Catégorie de produit : | Transistors bipolaires - BJT |
| RoHS : | N |
| Montage du style : | Par le trou |
| Paquet/cas : | TO-39-3 |
| Polarité de transistor : | NPN |
| Configuration : | Simple |
| Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum : | 350 V |
| Tension de collecteur-base VCBO : | 450 V |
| Tension basse VEBO d'émetteur : | 7 V |
| Tension de saturation de collecteur-émetteur : | 500 système mv |
| Courant de collecteur maximum de C.C : | 1 A |
| Palladium - dissipation de puissance : | 800 mW |
| Produit pi de largeur de bande de gain : | - |
| Température de fonctionnement minimum : | - 65 C |
| Température de fonctionnement maximum : | + 200 C |
| Emballage : | Le volume |
| Marque : | original |
| Type de produit : | BJTs - transistors bipolaires |
| Quantité de paquet d'usine : | 1 |
| Sous-catégorie : | Transistors |
| Technologie : | SI |
| Poids spécifique : | 0,213044 onces |