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Bâti de surface de silicium de la diode 600V 1A de S1J SMD

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Changzhou Trustec Company Limited
Ville:changzhou
Province / État:jiangsu
Pays / Région:china
Contact:MsSelena Chai
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Bâti de surface de silicium de la diode 600V 1A de S1J SMD

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Number modèle :S1J
Point d'origine :LA CHINE
Quantité d'ordre minimum :5K PCS
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :800KK PCS par mois
Délai de livraison :10 produits frais de jours de travail
Détails de empaquetage :5K PCS par bande et bobine, 100K PCS par carton.
Max. Forward Current :1A
Tension inverse maximale :600V
Tension en avant maximale :1V
Max. Reverse Current :5μF
nom de produit :Diode de redresseur standard de SMD
Paquet :SMA/DO-214AC
Matériel :Silicium
Température de fonctionnement :-55 | 150℃
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Diode en plastique d'usage universel de bâti de surface de silicium de la diode de redresseur de S1J SMD 1A 600V
 
S1A PAR S1M
REDRESSEURS D'USAGE UNIVERSEL DE BÂTI EXTÉRIEUR
Tension inverse - 50 à 1000 volts en avant d'actuel - 1,0 ampères

 

Caractéristiques du produit

Le paquet en plastique porte la classification 94V-0 d'inflammabilité d'UL

Pour les applications montées extérieures

Basse fuite inverse

Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé

Capacité élevée de courant de montée subite en avant

La soudure à hautes températures a garanti : secondes 260℃/10 sur des terminaux

Jonction passivée en verre

Basse chute de tension en avant

RoHS conforme


Caractéristiques mécaniques

 

Cas : Corps en plastique moulé par paquet de SMA (DO-214AC) au-dessus de puce passivée

Terminaux : La soudure a plaqué, solderable par MIL-STD-750, la méthode 2026

Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode

Position de montage : Quels

Poids : 0,0021 onces, 0,059 grammes


Capacités absolues et paramètres électriques

 

Type E/S VRRM IFSM VF IR Paquet
(a) (v) (a) (v) SI (A) (uA) VR (V) Contour
M1F 1 50 30 1,1 1 5 50 SMAF
M2F 1 100 30 1,1 1 5 100 SMAF
M3F 1 200 30 1,1 1 5 200 SMAF
M4F 1 400 30 1,1 1 5 400 SMAF
M5F 1 600 30 1,1 1 5 600 SMAF
M6F 1 800 30 1,1 1 5 800 SMAF
M7F 1 1000 30 1,1 1 5 1000 SMAF
M1E 1 50 30 1,1 1 5 50 MÊMES
M2E 1 100 30 1,1 1 5 100 MÊMES
M3E 1 200 30 1,1 1 5 200 MÊMES
M4E 1 400 30 1,1 1 5 400 MÊMES
M5E 1 600 30 1,1 1 5 600 MÊMES
M6E 1 800 30 1,1 1 5 800 MÊMES
M7E 1 1000 30 1,1 1 5 1000 MÊMES
M1 1 50 30 1,1 1 5 50 SMA
M2 1 100 30 1,1 1 5 100 SMA
M3 1 200 30 1,1 1 5 200 SMA
M4 1 400 30 1,1 1 5 400 SMA
M5 1 600 30 1,1 1 5 600 SMA
M6 1 800 30 1,1 1 5 800 SMA
M7 1 1000 30 1,1 1 5 1000 SMA


Évaluation et courbes caractéristiques
 

Bâti de surface de silicium de la diode 600V 1A de S1J SMD
 Bâti de surface de silicium de la diode 600V 1A de S1J SMD

Bâti de surface de silicium de la diode 600V 1A de S1J SMD

Bâti de surface de silicium de la diode 600V 1A de S1J SMD

Bâti de surface de silicium de la diode 600V 1A de S1J SMD

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