
Add to Cart
Diode de redresseur standard de silicium 3A 600V 800V 1000V 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408
Dessin de produit
SYMBOLES
|
1N
5400
|
1N
5401
|
1N
5402
|
1N
5403
|
1N
5404
|
1N
5405
|
1N
5406
|
1N
5407
|
1N
5408
|
UNITÉS
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Tension inverse maximale répétitive maximum
|
VRRM
|
50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTS
|
Tension maximum de RMS
|
VRMS
|
35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 350 | 420 | 560 | 700 |
VOLTS
|
Tension de blocage maximum de C.C
|
Volts continu
|
50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTS
|
La moyenne maximum a en avant rectifié actuel 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm) à TA=75℃
|
JE (POIDS DU COMMERCE)
|
3,0 |
Ampères
|
||||||||
Moitié simple avant maximale du courant de montée subite 8.3ms sinus-vague superposée à la charge évaluée (Méthode de JEDEC)
|
IFSM
|
150 |
Ampères
|
||||||||
Tension en avant instantanée maximum à 3.0A
|
VF
|
1,0 | VOLTS | ||||||||
Inverse maximum de C.C TA=25 actuel à évalué Tension de blocage de C.C TA=100℃
|
IR
|
5,0 100 |
µA
|
||||||||
Capacité de jonction typique (NOTE 1)
|
CJ
|
30,0 |
PF
|
||||||||
Résistance thermique typique (NOTE 2)
|
RθJA
|
20,0 | ℃/W | ||||||||
Jonction et température de stockage fonctionnantes gamme
|
TJ, TSTG
|
-65 à +175 |
℃ |