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La diode de redresseur de silicium 1.5A 1000V SES 158 FONT le cas 15 par le paquet de trou

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Changzhou Trustec Company Limited
Ville:changzhou
Province / État:jiangsu
Pays / Région:china
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La diode de redresseur de silicium 1.5A 1000V SES 158 FONT le cas 15 par le paquet de trou

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Number modèle :HER158
Point d'origine :LA CHINE
Quantité d'ordre minimum :3K PCS
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :800KK PCS par mois
Délai de livraison :10 produits frais de jours de travail
Détails de empaquetage :3K PCS par bande et boîte, 30K PCS par carton.
Type :Diode de redresseur de rendement élevé
Type de paquet :Par le trou
Tension inverse maximale :1000V
Tension en avant maximale :1.7V
Max. Forward Current :1.5A
Max. Reverse Current :5uA
Paquet :DO-15
Emballage :Bande et boîte (T/B)
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caisse en plastique axiale de la diode de redresseur de rendement élevé de silicium de 1.5A 1000V HER158 DO-15
 
HER151 PAR HER158
REDRESSEURS DE RENDEMENT ÉLEVÉ
Tension inverse - 50 à 1000 volts en avant d'actuel - 1,5 ampères
 
ESTIMATIONS MAXIMUM
 
  SYMBOLES
SON
151
SON
152
SON
153
SON
154
SON
155
SON
156
SON
157
SON
158
UNITÉS
Tension inverse maximale répétitive maximum
VRRM
50 100 200 300 400 600 800 1000
VOLTS
Tension maximum de RMS
VRMS
35 70 140 210 280 420 560 700
VOLTS
Tension de blocage maximum de C.C
Volts continu
50 100 200 300 400 600 800 1000
VOLTS
La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel longueur d'avance (de 9.5mm) à TA=75℃
JE (POIDS DU COMMERCE)
1,5
Ampères
Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite 8.3ms demi superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC)
IFSM
50,0
Ampères
Tension en avant instantanée maximum à 6.0A
VF
1,0 1,3 1,7
Volts
Inverse maximum TA=25℃ actuel de C.C
à la tension de blocage évaluée de C.C TA=100℃10
 

5,0

100

 

µA
Temps de rétablissement inverse maximum (NOTE 1)
trr
50 70 NS
Capacité de jonction typique (NOTE 2)
CJ
30,0 20,0 PF
Résistance thermique typique (NOTE 3)
RθJA
50,0 ℃/W
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage
TJ, TSTG
-65 à +150

 

Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire.
La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%
 
Note :
état IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de la récupération 1.Reverse
2.Measured à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V
la résistance 3.Thermal de la jonction à ambiant à 0,375" la longueur d'avance (de 9.5mm), carte PCB a monté
 

Taille de produit

 

La diode de redresseur de silicium 1.5A 1000V SES 158 FONT le cas 15 par le paquet de trou

 

CARACTÉRISTIQUES
 
Le paquet en plastique porte la classification 94V-0 d'inflammabilité de laboratoire de garants
Commutation à grande vitesse pour le rendement élevé
Basse fuite inverse
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
La soudure à hautes températures a garanti : 260 C/10 secondes, 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm), 5 livres. tension (2.3kg)
 
DONNÉES MÉCANIQUES
 
Cas : JEDEC DO-15 a moulé le corps en plastique
Terminaux : Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750, méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,014 onces, 0,40 grammes
 
Courbes caractéristiques
 
La diode de redresseur de silicium 1.5A 1000V SES 158 FONT le cas 15 par le paquet de trou
La diode de redresseur de silicium 1.5A 1000V SES 158 FONT le cas 15 par le paquet de trou
La diode de redresseur de silicium 1.5A 1000V SES 158 FONT le cas 15 par le paquet de trou
La diode de redresseur de silicium 1.5A 1000V SES 158 FONT le cas 15 par le paquet de trou
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