boîtier en plastique de la diode IN5817 IN5818 IN5819 de 1N5817 1N5818 1N5819 Schottky
1N5817 PAR 1N5819
REDRESSEURS DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY
Tension inverse - 20 à 40 volts en avant d'actuel - 1,0 ampères
Dimension
Caractéristiques du produit
Le paquet en plastique a la classification 94V-0 d'inflammabilité de laboratoire de garants
Jonction de silicium en métal, conduction de transporteur de majorité
Guardring pour la protection de surtension
Perte de puissance faible, rendement élevé
Capacité à forte intensité, basse chute de tension en avant
Capacité de crête élevée
Pour l'usage dans la basse tension, les inverseurs à haute fréquence, libèrent le roulement, et les applications de protection de polarité
La soudure à hautes températures a garanti : 260 C/10 secondes, 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm), 5 livres. tension (2.3kg)
Données mécaniques
Cas : JEDEC DO-41 a moulé le corps en plastique
Terminaux : Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750, méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,012 onces, 0,33 grammes
ESTIMATIONS MAXIMUM
Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire.
La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour la charge capacitive actuelle sous-sollicitent de 20%.
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SYMBOLES |
1N5817 |
1N5818 |
1N5819 |
UNITÉS |
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Tension inverse maximale répétitive maximum
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VRRM
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20
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30
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40
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VOLTS
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Tension maximum de RMS
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VRMS
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14 |
21 |
28 |
VOLTS
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Tension de blocage maximum de C.C
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Volts continu
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20
|
30
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40
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VOLTS
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La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel longueur d'avance (de 9.5mm) au ℃ TL=90
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JE (POIDS DU COMMERCE)
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1,0
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Ampère |
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Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite 8.3ms demi superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC)
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IFSM
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25,0 |
Ampères |
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Tension en avant instantanée maximum à 1.0A
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VF
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0,450
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0,550
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0,600
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Volts |
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℃ TA=25 actuel d'inverse maximum de C.C
au ℃ évalué de la tension de blocage de C.C TA=100
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IR
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0,5
10,0
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mA |
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Capacité de jonction typique (NOTE 1)
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CJ
|
110,0
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PF |
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Résistance thermique typique (NOTE 2)
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RθJA
|
50,0
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℃/W |
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Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage
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TJ, TSTG
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-65 à +125
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℃ |
Note :
1.Measured à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V
la résistance 2.Thermal de la jonction à ambiant à 0,375" la longueur d'avance (de 9.5mm), carte PCB a monté
