4148 diode Zener à grande vitesse de diode de signal de diode de commutation de 1N4148 IN4148 LL4148 petite
| Numéro de la pièce. |
Paquet |
| 1N4148 |
Verre DO-35 |
| LL4148 |
MINI MELF |
| 1N4148W |
SOD-123 |
| 1N4148WS |
SOD-323 |
| 1N4148WT |
SOD-523 |
Dessin de produit
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
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SYMBOLES
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1N4148
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UNITÉS
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Tension inverse maximale répétitive maximum
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VRRM
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100
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VOLTS
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Tension maximum de RMS
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VRMS
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75
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VOLTS
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La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel (9.5mm) longueur d'avance à TA=25 C
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JE (POIDS DU COMMERCE)
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150 |
mAmps
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Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite 8.3ms demi superposé à la charge évaluée (méthode de JEDEC)
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IFSM
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500 |
mAmps
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Tension en avant instantanée maximum à 10mA
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VF
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1,0
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Volts
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Inverse maximum TA=25 actuel C VR=75V de C.C
à la tension de blocage évaluée de C.C TA=100 C VR=20V
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IR
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5,0
50
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µA
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Temps de rétablissement inverse maximum (NOTE 1)
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trr
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4,0
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NS |
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Capacité de jonction typique (NOTE 2)
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CJ
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4,0
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PF
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Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage
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TJ, TSTG
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-65 à +200
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℃ |
Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire.
La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
NOTES :
état 1.Test : IF=10mA, IR=10mA, Irr=1mA, VR=6V, RL=100Ω.
2.Measured à 1,0 mégahertz et à tension inverse appliquée de 4,0 volts
CARACTÉRISTIQUES
Diode planaire épitaxiale de silicium
Diodes de changement
dissipation de puissance 500mw
Soudure à hautes températures garantie
250 C/10 secondes, 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm),
5 livres. tension (2.3kg)
DONNÉES MÉCANIQUES
Cas : Enveloppe DO-35 scellée en verre.
Terminaux : Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,005 onces, 0,14 grammes (DO-35)
ESTIMATIONS ET COURBES CARACTÉRISTIQUES 1N4148
