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emballage rapide du GAZON 323 de Smd 1N4148WS de diode de commutation du petit signal 100V

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Changzhou Trustec Company Limited
Ville:changzhou
Province / État:jiangsu
Pays / Région:china
Contact:MsSelena Chai
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emballage rapide du GAZON 323 de Smd 1N4148WS de diode de commutation du petit signal 100V

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Number modèle :1N4148WS
Point d'origine :LA CHINE
Quantité d'ordre minimum :3K PCS
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :800KK PCS par mois
Délai de livraison :10 produits frais de jours de travail
Détails de empaquetage :3K PCS par tape&reel, 180K PCS par carton.
Type :Diode de commutation
Type de paquet :Par le trou
Tension inverse maximale :100v
Max. Forward Current :0.15A
Max. Reverse Current :5μA
Tension en avant maximale :1V
paquet :SOD-323
Application :Alimentation d'énergie à haute fréquence de commutateur
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Petite diode de commutation à grande vitesse de l'emballage SOD-323 1N4148WS 0.15A 100V
 
1N4148WS
DIODE DE COMMUTATION EXTÉRIEURE DE BÂTI
Tension inverse - 100 volts en avant d'actuel - 0,15 ampères

 

Dessin de produit

 

emballage rapide du GAZON 323 de Smd 1N4148WS de diode de commutation du petit signal 100V

 

CARACTÉRISTIQUES
 
Vitesse de changement rapide
Paquet extérieur de bâti idéalement adapté à l'insertion automatique
Pour l'application de changement d'usage universel
Conductibilité élevée
 
DONNÉES MÉCANIQUES
 
Cas : SOD-323 a moulé le corps en plastique
Terminaux : Solderable par MIL-STD-750, méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,01 grammes (d'approximatif)
 
Estimations maximum et caractéristiques électriques
Diode simple @TA=25℃
 Paramètre
Symbole
Limites
Unité
Tension inverse maximale non répétitive
VRM

 

100
V
Tension inverse maximale répétitive maximale
Tension inverse maximale fonctionnante
Tension de blocage de C.C
VRRM
VRWM
VR
75
V
Tension inverse de RMS
VR (RMS)
53
V
Courant continu en avant
IFM
300
mA
Courant de sortie rectifié moyen
E/S
150

mA

Courant de montée subite en avant maximal @=1.0μs
@=1.0s
IFSM

2,0

1,0

Dissipation de puissance
Palladium
200
mW
Jonction de résistance thermique à ambiant
RθJA
625
/W
La température de jonction
Tj
125

 

Température de stockage
TSTG
-65~+150

 

Estimations électriques @TA=25℃
Paramètre
Symbole
Mn.
Type.
Maximum.
Unité
Conditions
Tension en avant
VF1
- -
0,715
V
SI =1mA
VF2
- -
0,855
V
SI =10mA
 
VF3
- -
1,0
V
SI =50mA
VF4
- -
1,25
V
SI =150mA
Courant inverse
IR1
- -
1
μA
VR =75V
IR2
- - 25
Na
VR =20V
Capacité entre les terminaux
CT
- -
2
PF
VR =0V, f=1MHz
Temps de rétablissement inverse
trr
- -
4
NS
SI =IR=10mA
Irr=0.1XIR, RL =100Ω

 

ESTIMATIONS ET COURBES CARACTÉRISTIQUES
 
emballage rapide du GAZON 323 de Smd 1N4148WS de diode de commutation du petit signal 100V
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