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Emballage extérieur de bobine du bâti SMA SMD de diode bidirectionnelle de déclencheur de DIAC de DB6 DB4 DB3

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Changzhou Trustec Company Limited
Ville:changzhou
Province / État:jiangsu
Pays / Région:china
Contact:MsSelena Chai
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Emballage extérieur de bobine du bâti SMA SMD de diode bidirectionnelle de déclencheur de DIAC de DB6 DB4 DB3

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Number modèle :DB3
Point d'origine :LA CHINE
Quantité d'ordre minimum :5K PCS
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :800KK PCS par mois
Délai de livraison :10 produits frais de jours de travail
Détails de empaquetage :5K PCS par bande et bobine, 100K PCS par carton.
Type :DIAC
Matériel :Silicium
Type de paquet :SMD
paquet :SMA (DO-214AC)
Puissance :150mW
VBO :28-36V
Type de VBO :32V
IBOS :100μA
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Emballage bidirectionnel de bobine de la diode SMD DB3 DB4 DB6 de déclencheur de DIAC extérieur du bâti SMA
 
DB3
DIODE BIDIRECTIONNELLE DE DÉCLENCHEUR
Tension de suite - 32 volts de puissance 150mW
 
Emballage extérieur de bobine du bâti SMA SMD de diode bidirectionnelle de déclencheur de DIAC de DB6 DB4 DB3
 
Détails de produit
 
La petite structure en verre assure la fiabilité élevée
VBO : version 28-36V
Bas courant de suite
Soudure à hautes températures garantie
250 C/10 secondes, 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm),
5 livres. tension (2.3kg)
 
DONNÉES MÉCANIQUES
 
Cas : JEDEC DO-214AC a moulé le corps en plastique
Terminaux : La soudure a plaqué, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,002 onces, 0,07 grammes
 
ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES MAXIMUM
 
 
CONDITION D'ESSAI
SYMBOLES
VALEUR
UNITÉS
 
Mn. Type. Maximum.
Tension de suite
C=22nF
VBO
35 40 45
VOLTS
Symétrie de tension de suite
C=22nF
I+VBOI-I-VBOI
-3
  3
VOLTS
Tension de suite dynamique
(NOTE 1)
± I D'I D V
5    
VOLTS
Tension de sortie
DIAGRAM2
Vo
5    
VOLTS
Courant de suite
C=22nF
IBOS
    100
mA
Temps de montée
DIAGRAM3
TR
  1,5  
Mme
Fuite actuelle
VR=0.5VBO
IB
    10
mA
Dissipation de puissance sur le circuit imprimé
TA=65 C
Palladium
    150
mW
Courant maximal répétitif de sur-état
tp=20µs
f=100Hz
ITRM
    2
Résistances thermiques de jonction à ambiant
 
RQJA
    400
℃/W
Résistances thermiques de la jonction à mener
 
RQJL
    150 ℃/W
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage
 
TJ, TSTG
-40   125

 

 
Fiche technique de produit
 
Type Tension de suite Symétrie maximale de tension de suite Courant de suite de Max. Peak Tension de suite de Max. DynamicCourant de Sur-état de Max. Peak Paquet
V V μA V
Mn. Type. Maximum.
DB3 28 32 36 3 100 5 2 DO-35
DB4 35 40 45 3 100 5 2 DO-35
DB6 56 63 70 3 100 5 2 DO-35
DB́8 72 80 88 3 100 5 2 DO-35

 

Emballage extérieur de bobine du bâti SMA SMD de diode bidirectionnelle de déclencheur de DIAC de DB6 DB4 DB3

 

Emballage extérieur de bobine du bâti SMA SMD de diode bidirectionnelle de déclencheur de DIAC de DB6 DB4 DB3

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