Changzhou Trustec Company Limited

TD DIODES YOUR TRUSTED BRAND AND YOUR RELIABLE SUPPLIER

Manufacturer from China
Membre actif
5 Ans
Accueil / produits / DIAC Trigger Diode /

La diode et le Diac Db4 Db6 Db8 de déclencheur du Diac Db3 FONT le signal 35 150mW

Contacter
Changzhou Trustec Company Limited
Ville:changzhou
Province / État:jiangsu
Pays / Région:china
Contact:MsSelena Chai
Contacter

La diode et le Diac Db4 Db6 Db8 de déclencheur du Diac Db3 FONT le signal 35 150mW

Demander le dernier prix
Number modèle :DB3
Point d'origine :LA CHINE
Quantité d'ordre minimum :5K PCS
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :800KK PCS par mois
Délai de livraison :10 produits frais de jours de travail
Détails de empaquetage :5K PCS par bande et boîte, 100K PCS par carton.
VBO :28-36V
Type de VBO :32V
Paquet :Verre DO-35
IBOS :100μA
Type :DIAC
Type de paquet :Par le trou
Matériel :Silicium
Puissance :150mW
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit
DIAC bidirectionnel DB3 de diode de déclencheur du paquet DO-35 de signal en verre du silicium 150mW
 
DB6
DIODE BIDIRECTIONNELLE DE DÉCLENCHEUR
Tension de suite - 63 volts de puissance 150mW
 
La diode et le Diac Db4 Db6 Db8 de déclencheur du Diac Db3 FONT le signal 35 150mW
Détails de produit
 
La petite structure en verre assure la fiabilité élevée
VBO : version 56-70V
Bas courant de suite
Soudure à hautes températures garantie
250 C/10 secondes, 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm),
5 livres. tension (2.3kg)
 
DONNÉES MÉCANIQUES
 
Cas : Corps en verre de JEDEC DO-35
Terminaux : Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Position de montage : Quels
Poids : 0,005 onces, 0.14gram
 
ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES MAXIMUM
 
 
CONDITION D'ESSAI
SYMBOLES
VALEUR
UNITÉS
Mn. Type. Maximum.
Tension de suite
C=22nF
VBO
56 63 70
VOLTS
Symétrie de tension de suite
C=22nF
I+VBOI-I-VBOI
-3
  3
VOLTS
Tension de suite dynamique
(NOTE 1)
± I D'I D V
5    
VOLTS
Tension de sortie
DIAGRAM2
Vo
5    
VOLTS
Courant de suite
C=22nF
IBOS
    100
mA
Temps de montée
DIAGRAM3
TR
  1,5  
Mme
Fuite actuelle
VR=0.5VBO
IB
    10
mA
Dissipation de puissance sur le circuit imprimé
TA=65 C
Palladium
    150
mW
Courant maximal répétitif de sur-état
tp=20ms
f=100Hz
ITRM
    2
Résistances thermiques de jonction à ambiant
 
RQJA
    400
℃/W
Résistances thermiques de la jonction à mener
 
RQJL
    150 ℃/W
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage
 
TJ, TSTG
-40   125

 

 
Fiche technique de produit
 
Type Tension de suite Symétrie maximale de tension de suite Courant de suite de Max. Peak Tension de suite de Max. DynamicCourant de Sur-état de Max. Peak Paquet
V V μA V
Mn. Type. Maximum.
DB3 28 32 36 3 100 5 2 DO-35
DB4 35 40 45 3 100 5 2 DO-35
DB6 56 63 70 3 100 5 2 DO-35
DB́8 72 80 88 3 100 5 2 DO-35

 

La diode et le Diac Db4 Db6 Db8 de déclencheur du Diac Db3 FONT le signal 35 150mW

 

La diode et le Diac Db4 Db6 Db8 de déclencheur du Diac Db3 FONT le signal 35 150mW

La diode et le Diac Db4 Db6 Db8 de déclencheur du Diac Db3 FONT le signal 35 150mW

La diode et le Diac Db4 Db6 Db8 de déclencheur du Diac Db3 FONT le signal 35 150mW

La diode et le Diac Db4 Db6 Db8 de déclencheur du Diac Db3 FONT le signal 35 150mW

La diode et le Diac Db4 Db6 Db8 de déclencheur du Diac Db3 FONT le signal 35 150mW

Inquiry Cart 0