Nouveau matériel Cie., Ltd de Zhuzhou Teyou

Zhuzhou Teyou New Material Co.,Ltd Tungsten Heavy Alloy factory

Manufacturer from China
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Radiateur de cuivre de tungstène pour le transfert microélectronique de la chaleur de composants

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Nouveau matériel Cie., Ltd de Zhuzhou Teyou
Ville:zhuzhou
Province / État:hunan
Pays / Région:china
Contact:MrsLaura
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Radiateur de cuivre de tungstène pour le transfert microélectronique de la chaleur de composants

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Numéro de type :Au client demandé
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :5 kilogrammes
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :5 tonnes par mois
Délai de livraison :3-35 jours
Détails d'emballage :Coffret en bois
Materia :WCu
Norme de produit :ASTM B 702
classe :W50/Cu50 - W90/Cu10
Densité :11.85 - 16,75
Dureté :115-260
Résistance de la flexion :790-1160
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Radiateur d'en cuivre d'AlloyTungsten de tungstène d'en cuivre de WCu avec du Cu de 40 wt.%

 

Description :

 

Le radiateur de cuivre de tungstène est utilisé pour transférer la chaleur produite dans les composants microélectroniques pour empêcher des dommages thermiques.

Le radiateur de cuivre de tungstène est un composé de tungstène et de cuivre, ainsi les avantages thermiques du cuivre et les caractéristiques très basses d'expansion du tungstène peuvent être ajustés pour répondre à différentes exigences.

 

 

Avantages :

 

1. Conduction thermique élevée

2. Excellent hermeticity

3. Excellente planéité, finition extérieure, et contrôle de taille

5. Basse porosité

 

Propriétés de produit :

 

Catégorie Contenu de W Densité g/cm3

Coefficient de courant ascendant

Expansion ×10-6 (20℃)

Conduction thermique avec (M·K)
90WCu 90±2% 17,0 6,5 180 (25℃) /176 (100℃)
85WCu 85±2% 16,4 7,2 190 (25℃)/183 (100℃)
80WCu 80±2% 15,65 8,3 200 (25℃)/197 (100℃)
75WCu 75±2% 14,9 9,0 230 (25℃)/220 (100℃)
50WCu 50±2% 12,2 12,5 340 (25℃)/310 (100℃)

 

Application :

 

Elles sont intensivement employées en tant que plats de support thermiques, supports intermédiaires, brides de cuivre de tungstène, et cadres pour le rf, les diodes électroluminescentes et les détecteurs, les paquets de diode laser comme l'impulsion, l'émetteur simple, les barres et les transporteurs complexes pour des amplificateurs d'optoélectronique, les récepteurs, les émetteurs, les lasers accordables, etc.

 

 

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