Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd

L'électronique Cie., Ltd de Guangdong Uchi Fabricant de varistance, de thermistance, de condensateur, de fusible et de résistance depuis 2006 !

Manufacturer from China
Fournisseur Vérifié
12 Ans
Accueil / produits / High Power Mosfet /

SOT-89 D882 NPN Transistors électroniques en plastique encapsulant la dissipation de puissance

Contacter
Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd
Visitez le site Web
Ville:dongguan
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissAnna
Contacter

SOT-89 D882 NPN Transistors électroniques en plastique encapsulant la dissipation de puissance

Demander le dernier prix
Numéro de modèle :D882
Lieu d'origine :Dongguan en Chine
Quantité minimale de commande :1000 pièces
Conditions de paiement :T/T, Western Union
Capacité à fournir :5000 pièces
Délai de livraison :3weeks
Détails de l'emballage :La norme
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

SOT-89 D882 Transistors encapsulés en plastique

 

Caractéristiques
 
Dissipation de puissance
 
 

Nombre maximal Rating (T)a)= 25°C à moins qu'il en soit autrement (noté)

 

Le symbole Paramètre Valeur Unité
VLe CBO Voltage de base du collecteur 40 V
VDirecteur général Voltage du collecteur-émetteur 30 V
VOEB Voltage de base de l'émetteur 6 V
Je suis...C Courant de collecteur -continu 3 Une
PC Dissipation de la puissance du collecteur 0.5 W
TJe Température de jonction 150 °C
TSgt. Température de stockage -55 à 150 °C

 

Caractéristiques électriques ((Ta=25°C, sauf indication contraire)

Paramètre Le symbole Conditions d'essai - Je vous en prie. Le type Je suis désolé. Unité
Voltage de rupture de la base du collecteur V ((BR) CBO IC = 100μA, IE = 0 40     V
Voltage de panne du collecteur-émetteur V ((BR) PDG IC = 10mA, IB = 0 30     V
Voltage de rupture émetteur-base V ((BR) EBO IE = 100μA, IC = 0 6     V
Courant de coupure du collecteur Le CIBO VCB = 40V, IE = 0     1 μA
Courant de coupure du collecteur ICEO VCE = 30V, IB = 0     10 μA
Courant de coupure de l'émetteur Le BIO VEB = 6V, IC = 0     1 μA
Courant de courant continu le gain hFE(1) Pour les appareils de commande électrique, la valeur de l'indicateur d'alimentation doit être égale ou supérieure à: 60   400  
  hFE(2) Pour les appareils de traitement des données, la valeur de l'énergie utilisée doit être égale ou supérieure à: 32      
Voltage de saturation du collecteur-émetteur VCE (sat) IC = 2A, IB = 0,2 A     0.5 V
Voltage de saturation de l'émetteur de base VBE (sat) IC = 2A, IB = 0,2 A     1.5 V
Fréquence de transition FT VCE = 5V, Ic = 0,1A f = 10MHz 50     fréquences de fréquence

 

Classification des produits hFE ((1)

 

Le grade R Je vous en prie. Y GR
Portée 60 à 120 100 à 200 160 à 320 200 à 400

 

Typique Caractéristiques

SOT-89 D882 NPN Transistors électroniques en plastique encapsulant la dissipation de puissance

Inquiry Cart 0