IRG4PH40UPBF
Catégorie de produit :Transistors IGBT
Mode de montage :À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C :30 A
Palladium - dissipation de puissance :160 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :1,2 kilovolts
Emballage / boîtier :TO-247-3
Voltage maximal de l' émetteur de la porte :+/- 20 V
Emballage :Tuyaux
Configuration :Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur :3,5 V
Fabricant :Infineon Technologies
Définition :Transistors IGBT 1200V ultra-rapide 5 à 40 kHz
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