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Le système de détection des déchets est utilisé.
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Courant de fuite de l' émetteur de porte :+/- 250 nA
Catégorie de produit :Transistors IGBT
Mode de montage :À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C :80 A
Palladium - dissipation de puissance :283 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :650 V
Emballage / boîtier :TO-3P-3
Température de fonctionnement maximale :+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte :+/- 30 V
Configuration :Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur :1,6V
Fabricant :STMicroélectronique
Définition :Transistors IGBT Port de tranchée IGBT, série HB 650 V, 40 A à haute vitesse
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