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Courant de fuite de l' émetteur de porte :Na 100

Catégorie de produit :Transistors IGBT

Mode de montage :À travers le trou

Courant de collecteur continu à 25 ° C :40 A

Palladium - dissipation de puissance :125W

Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :600 V ou plus

Emballage / boîtier :TO-247-3

Température de fonctionnement maximale :+ 175 C

Emballage :Tuyaux

Voltage maximal de l' émetteur de la porte :20 V

Voltage de saturation du collecteur-émetteur :1,9 V

Fabricant :Infineon Technologies

Définition :Transistors IGBT 600V ultra-rapide IGBT 40A 250W 75nC

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L'IRGP4640DPBF,de Infineon Technologies,est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!

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