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Courant de fuite de l' émetteur de porte :+/- 200 nA

Catégorie de produit :Transistors IGBT

Mode de montage :À travers le trou

Courant de collecteur continu à 25 ° C :86 A

Palladium - dissipation de puissance :357 W

Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :3 KILOVOLTS

Emballage / boîtier :Le système ISOPLUS i4-Pak-3

Température de fonctionnement maximale :+ 150 °C

Voltage maximal de l' émetteur de la porte :+/- 25 V

Configuration :Unique

Voltage de saturation du collecteur-émetteur :2,7 V

Fabricant :IXYS

Définition :Transistors IGBT à haute tension à gain élevé BIMOSFET

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Le IXBF55N300,de IXYS,est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!

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