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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

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Courant de fuite de l' émetteur de porte :Na 100
Catégorie de produit :Transistors IGBT
Mode de montage :À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C :80 A
Palladium - dissipation de puissance :429 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :1350 V
Emballage / boîtier :TO-247-3
Température de fonctionnement maximale :+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte :20 V
Emballage :Tuyaux
Configuration :Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur :2 V
Fabricant :Infineon Technologies
Définition :Transistors IGBT Produits IGBT TrenchStop
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