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Courant de fuite de l' émetteur de porte :250 nA
Catégorie de produit :Transistors IGBT
Mode de montage :À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C :60 A
Palladium - dissipation de puissance :260 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :650 V
Emballage / boîtier :TO-220-3
Température de fonctionnement maximale :+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte :+/- 20 V
Emballage :Tuyaux
Configuration :Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur :2,4 V
Fabricant :STMicroélectronique
Définition :Les transistors IGBT sont des transistors IGBT 600V 30A.
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