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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

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UPA811T-T1-A

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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)

Courant - collecteur (Ic) (maximum) :35 mA

Statut du produit :Dépassé

Type de transistor :2 NPN (doubles)

Type de montage :Monture de surface

Fréquence - Transition :8GHz

le paquet :Tape et bobine (TR)

Série :-

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :10 V

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :Le code SOT-363

Mfr :Cel

Figure du bruit (dB Typ @ f) :1.9 dB @ 2 GHz

Puissance maximale :200mw

Les gains :7.5 dB

Emballage / boîtier :Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe

Température de fonctionnement :150°C (TJ)

Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :80 @ 5mA, 3V

Définition :Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.

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Transistors RF 2 NPN (double) 10V 35mA 8GHz 200mW Monture de surface SOT-363

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