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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)

Courant - collecteur (Ic) (maximum) :150 mA

Statut du produit :Dépassé

Type de transistor :NPN

Type de montage :Monture de surface

Fréquence - Transition :6 GHz

le paquet :bandeau

Série :-

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :12 V

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :-

Mfr :Cel

Figure du bruit (dB Typ @ f) :3.5 dB @ 1 GHz

Puissance maximale :1.8W

Les gains :10 dB

Emballage / boîtier :TO-243AA

Température de fonctionnement :150°C (TJ)

Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :50 @ 50mA, 5V

Définition :Les données sont fournies par le système de transmission de fréquences.

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Transistor RF NPN 12V 150mA 6GHz 1.8W Monture de surface

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