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BF771E6765N

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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BF771E6765N

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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :80mA
Statut du produit :Actif
Type de transistor :NPN
Type de montage :Monture de surface
Fréquence - Transition :8GHz
le paquet :Produits en vrac
Série :Automobile, AEC-Q101
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :12 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
Mfr :Infineon Technologies
Figure du bruit (dB Typ @ f) :1 dB ~ 1,6 dB @ 900 MHz ~ 1,8 GHz
Puissance maximale :580 mW
Les gains :15 dB
Emballage / boîtier :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Température de fonctionnement :150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :70 @ 30mA, 8V
Définition :Les données de base sont fournies à l'aide d'un tableau de bord.
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Transistors RF NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Monture de surface PG-SOT23-3-4
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