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2GHz, S-bande, amplificateur à faible bruit LNA, module d'amplificateur de puissance de rf
Introductions de module d'amplificateur de puissance de VBE rf :
VBE fournissent des solutions des modules de rf comprenant la source de signal de radiofréquence, l'amplificateur de puissance de radiofréquence (PA), l'amplificateur à faible bruit (LNA), l'unité extérieure de radiofréquence (ODU) et la solution adaptée aux besoins du client de module de radiofréquence, la bande de P-vague de couverture de bande de fréquence, la bande de L-vague, la bande de S-vague, la bande de Ku-vague et la bande de Ka-vague et ainsi de suite, largement s'appliquant dans le système à extrémité élevé d'équipement. Le module adopter un certain nombre de technologie de pointe dans le produit concevant et répondre à l'exigence différente de la fonction et du paramètre d'optimisation du traitement.
Caractéristiques du produit de VBP2GL :
1. Bande de fréquence large ;
2. bas bruit de sortie ;
3. consommation de puissance faible, linéarité élevée ;
4. processus hybride de microassemblage, petite taille, de forte stabilité ;
5. grand choix de température de fonctionnement ;
6. disponible fait sur commande
Spécifications techniques :
NON. | Article | Description | Min Typical Max | Unité |
1 | Bande de fréquence | B C |
2,2 2,4 2,4 2,5 2,3 2,8 |
Gigahertz |
2 | Gain | Sélectionnable | 40 50 60 | DB |
3 | Planéité de gain | Pleine bande | +/--0,5 | DB |
4 | VSWR | Entrée-sortie | 1.3:1 | |
5 | La température de bruit | °C 23 | 45 | °K |
6 | puissance de point de la compression 1dB | ≥+10 | dBm | |
7 | 3ème ordre IMD | Dual-tone-12dBm | ≤-51 | dBc |
8 | Stabilité de gain | 24 heures | +/--0,5 | DB |
9 | Connecteur | Entrée-sortie | N ou SMA | |
10 | Surcharge d'entrée | Surcharge 1min | 0 | dBm |
11 | Tension locale | C.C | +12 +15 | V |
12 | La température fonctionnante | -40~+70 | °C |
Applications de VBP2GL :