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3-6GHz, C-bande, amplificateur à faible bruit LNA, module d'amplificateur de puissance de rf
Instructions de module d'amplificateur de puissance de VBE rf :
Solutions de VBE de module de rf comprenant la source de signal de radiofréquence, l'amplificateur de puissance de radiofréquence (PA), l'amplificateur à faible bruit (LNA), l'unité extérieure de radiofréquence (ODU) et la solution adaptée aux besoins du client de module de radiofréquence, la bande de P-vague de couverture de bande de fréquence, la bande de L-vague, la bande de S-vague, la bande de Ku-vague et la bande de Ka-vague et ainsi de suite, largement s'appliquant dans le système à extrémité élevé d'équipement. Le module adopter un certain nombre de technologie de pointe dans le produit concevant et répondre à l'exigence différente de la fonction et du paramètre d'optimisation du traitement.
Caractéristiques :
Spécifications techniques :
NON. | Article | Description | Min Typical Max | Unité |
1 | Bande de fréquence | B C D E F |
3,7 4,2 3,6 4,2 3,4 4,2 3,7 4,8 4,4 5,0 5,8 6,5 |
Gigahertz |
2 | Gain | Sélectionnable | 50 60 | DB |
3 | Planéité de gain | Pleine bande | +/--0,5 | DB |
4 | VSWR | Entrée Sortie |
1.25:1 1.5:1 |
|
5 | La température de bruit | 23°C | 35 40 50 | °K |
6 | puissance de point de la compression 1dB | ≥+10 | dBm | |
7 | 3ème ordre IMD | Dual-tone-12dBm | ≤-51 | dBc |
8 | Stabilité de gain | 24 heures | +/--0,5 | DB |
9 | Connecteur | Entrée Sortie |
Guide d'ondes N ou SMA |
|
10 | Surcharge d'entrée | Surcharge 1min | 0 | dBm |
11 | Tension locale | C.C | +12 +15 | V |
12 | La température fonctionnante | -40~+70 | °C |
Applications :